我司碳化硅MOSFET器件通过AEC-Q101车规级可靠性认证
热烈祝贺我司自主研发的1200V/80mΩ SiC MOSFET器件（型号：MIR120C080A1L4A）通过国内第三方可靠性认证，成功获得全套AEC-Q101车规级可靠性认证，此次认证充分体现了我司碳化硅MOSFET器件产品在可靠性、稳定性等方面的优异表现。成为国内取得此类认证的少数厂商之一，标志着我司已进入碳化硅MOSFET器件产品的先进供应商行列。AEC-Q101认证是半导体分立器件的汽车
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无锡美偌科微电子有限公司自2014年12月22日成立以来，专注工控领域的大功率电源应用场景，主打中低压硅基MOSFET和高压SiC MOSFET。截至目前，中低压硅基MOSFET已形成从30V~100V不同电流与内阻的产品矩阵。从1200V切入高压SiC MOSFET，目前1200V和1700V SiC MOSFET均已量产。未来公司将聚焦工控和汽车电子领域，以特色技术与高可靠性为产品标签，持续为客户创造价值。
